图片仅供参考,产品以实物为准
| 规格书 |
 BSC320N20NS3 G |
| Rohs | Lead free / RoHS Compliant |
| 标准包装 | 5,000 |
| FET 型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 漏极至源极电压（VDSS） | 200V |
| 电流-连续漏极（编号）@ 25°C | 36A |
| Rds（最大）@ ID，VGS | 32 mOhm @ 36A, 10V |
| VGS（TH）（最大）@ Id | 4V @ 90µA |
| 栅极电荷（Qg）@ VGS | 29nC @ 10V |
| 输入电容（Ciss）@ Vds的 | 2350pF @ 100V |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 包/盒 | 8-PowerTDFN |
| 供应商器件封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 包装材料 | Tape & Reel (TR) |
| P（ TOT ） | 125W |
| 匹配代码 | BSC320N20NS3 G |
| 安装 | SMD |
| R（ THJC ） | 1K/W |
| LogicLevel | NO |
| 包装 | TDSON-8 |
| 单位包 | 5000 |
| 标准的提前期 | 21 weeks |
| 最小起订量 | 1 |
| Q（克） | 22nC |
| LLRDS （上） | n.s.Ohm |
| 汽车 | NO |
| LLRDS （上）在 | n.s.V |
| 我（D ） | 36A |
| V（ DS ） | 200V |
| 技术 | OptiMOS |
| 的RDS（on ） at10V | 0.032Ohm |
| 无铅Defin | RoHS-conform |
| FET特点 | Logic Level Gate |
| 封装 | Tape & Reel (TR) |
| 安装类型 | Surface Mount |
| 电流 - 连续漏极（Id ） @ 25 °C | 36A (Tc) |
| 的Vgs（th ） （最大）@ Id | 4V @ 90µA |
| 漏极至源极电压（Vdss） | 200V |
| 供应商设备封装 | PG-TDSON-8 (5.15x6.15) |
| 开态Rds（最大）@ Id ，V GS | 32 mOhm @ 36A, 10V |
| FET型 | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| 功率 - 最大 | 125W |
| 标准包装 | 5,000 |
| 输入电容（Ciss ） @ VDS | 2350pF @ 100V |
| 闸电荷（Qg ） @ VGS | 29nC @ 10V |
| 封装/外壳 | 8-PowerTDFN |
| RoHS指令 | Lead free / RoHS Compliant |
| 其他名称 | BSC320N20NS3 GCT |
| 类别 | High Frequency Switching, Synchronous Rectification |
| 通道模式 | Enhancement |
| 渠道类型 | N |
| 配置 | Quad Drain, Single Gate, Triple Source |
| 外形尺寸 | 5.35 x 6.1 x 1.1mm |
| 身高 | 1.1mm |
| 长度 | 5.35mm |
| 最大连续漏极电流 | 36 A |
| 最大漏源电阻 | 32 mΩ |
| 最大漏源电压 | 200 V |
| 最大门源电压 | ±20 V |
| 最高工作温度 | +150 °C |
| 最大功率耗散 | 125 W |
| 最低工作温度 | -55 °C |
| 每个芯片的元件数 | 1 |
| 包装类型 | PG-TDSON-8 |
| 引脚数 | 8 |
| 典型栅极电荷@ VGS | 22 nC V @ 0 → 10 |
| 典型输入电容@ VDS | 1770 pF V @ 100 |
| 典型关闭延迟时间 | 22 ns |
| 典型导通延迟时间 | 14 ns |
| 宽度 | 6.1mm |
| 工厂包装数量 | 5000 |
| 晶体管极性 | N-Channel |
| 连续漏极电流 | 36 A |
| 封装/外壳 | TDSON-8 |
| 零件号别名 | BSC320N20NS3GATMA1 SP000676410 |
| 下降时间 | 4 ns |
| 安装风格 | SMD/SMT |
| 产品种类 | MOSFET |
| 商品名 | OptiMOS |
| 正向跨导 - 闵 | 58 S, 29 S |
| RoHS | RoHS Compliant |
| 源极击穿电压 | 20 V |
| 系列 | BSC320N20 |
| RDS（ON） | 32 mOhms |
| 功率耗散 | 125 W |
| 上升时间 | 9 ns |
| 漏源击穿电压 | 200 V |
| 栅极电荷Qg | 22 nC |
BSC320N20NS3 G也可以通过以下分类找到
BSC320N20NS3 G相关搜索
咨询QQ
综合类：
热线电话
智能AI技术专家